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借助最新的英特爾®處理(lǐ)器(qì)、DDR4內(nèi)存和(hé)PCIe 3.0 I/O,提高(gāo)應用程序性能,同時(shí)為(wèi)未來(lái)發展提供空(kōng)間(jiān)。
借助4個(gè)DIMM插槽和(hé)增強的DDR4內(nèi)存,提供比上(shàng)一代DDR3高(gāo)50 %的時(shí)鍾速率,并且比實施DDR4的初始2133 MT/s快12.5 %,從而可(kě)以提高(gāo)內(nèi)存性能。
與2.0相比,4個(gè)PCIe 3.0插槽将數(shù)據吞吐量提升了2倍。
憑借PowerEdge PERC9 RAID控制(zhì)器(qì),IOPS性能為(wèi)上(shàng)一代PowerEdge T320(配備PERC8)的兩倍。
借助最新的四核英特爾®至強®E3-1200 v6産品系列以及靈活的雙核處理(lǐ)器(qì)選項(英特爾奔騰®、英特爾酷睿®i3或英特爾賽揚®),确保快速的響應時(shí)間(jiān).